Penerangan tentang proses pembuatan khusus sel suria
(1) Menghiris: Menggunakan pemotongan berbilang talian, rod silikon dipotong menjadi wafer silikon persegi.
(2) Pembersihan: Gunakan kaedah pembersihan wafer silikon konvensional untuk membersihkan, dan kemudian gunakan larutan asid (atau alkali) untuk membuang 30-50um lapisan kerosakan pada permukaan wafer silikon.
(3) Penyediaan suede: etsa anisotropik dilakukan pada wafer silikon dengan larutan alkali untuk menyediakan suede pada permukaan wafer silikon.
(4) Resapan fosforus: gunakan sumber salutan (atau sumber cecair, atau sumber serpihan fosforus nitrida pepejal) untuk resapan untuk membuat simpang tambah PN, dan kedalaman simpang biasanya 0.3-0 .5um.
(5) Etsa persisian: Lapisan resapan yang terbentuk pada permukaan persisian wafer silikon semasa resapan akan membuat litar pintas pada elektrod atas dan bawah bateri, dan lapisan resapan persisian dikeluarkan dengan menutup goresan basah atau kering plasma.
(6) Tanggalkan simpang PN tambah bahagian belakang. Persimpangan PN plus bahagian belakang biasanya dikeluarkan dengan goresan atau pengisaran basah.
(7) Membuat elektrod atas dan bawah: menggunakan penyejatan vakum, penyaduran nikel tanpa elektrod atau percetakan pes aluminium dan pensinteran. Elektrod bawah dibuat terlebih dahulu, diikuti oleh elektrod atas. Percetakan tampal aluminium adalah kaedah proses yang digunakan secara meluas.
(8) Pengeluaran filem anti pantulan: Untuk mengurangkan kehilangan pantulan, lapisan filem anti pantulan hendaklah ditutup pada permukaan wafer silikon. Bahan-bahan untuk membuat filem anti-pantulan ialah MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, Ta2O5, dll. Kaedah proses boleh kaedah salutan vakum, kaedah salutan ion, kaedah sputtering, kaedah cetakan, kaedah PECVD atau kaedah semburan .
(9) Pensinteran: Sinter cip bateri pada plat asas nikel atau kuprum.
(10) Klasifikasi ujian: mengikut spesifikasi parameter yang ditentukan, klasifikasi ujian.
